Sensor electroquímico con estabilidad eléctrica basado en transistor EGFET (Electrolyte-Gated Field-Effect Transistor)

Un instituto español de investigación ha desarrollado un transistor EGFET (Electrolyte-Gated Field-Effect Transistor) con mejor estabilidad eléctrica. Estos nuevos transistores operan en entornos acuosos y son estables durante más de 12 horas con un funcionamiento ininterrumpido, superando ampliamente a los transistores EGFET del estado del arte. La mayor estabilidad hace que su uso sea apropiado para aplicaciones de la vida real. El instituto de investigación busca socios industriales interesados en la licencia de la patente y en establecer acuerdos de cooperación en materia de investigación.
ACTIS Cooperación Tecnológica
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