Nueva tecnología de implantación de iones basada en un filtro de energía específico para la fabricación de microchips semiconductores en dispositivos y obleas de carburo de silicio (SiC)

Una pyme alemana de alta tecnología especializada en herramientas de microingeniería para procesamiento de semiconductores ha desarrollado una nueva tecnología de implantación de iones basada en un filtro de energía que permite el dopado altamente preciso y distribuido en profundidad de cualquier material semiconductor (SiC). La empresa busca compañías del sector de semiconductores y fundiciones que utilicen la tecnología de implantación de iones o fabriquen aceleradores de haces de iones para establecer acuerdos de cooperación y comercialización con asistencia técnica.
ACTIS Cooperación Tecnológica
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